"华晶(HUAJING RECTIFIER)"的产品信息列表
-
华晶(HUAJING RECTIFIER)
-
IGBT模块
• IGBT是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的一种器件,其输入极为MOSFET,输出极为PNP晶体管,它融和了这两种器件的优点。
• 具有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快的优点。
• 具有双极型器件饱和压降低而容量大的优点,其频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间,可正常工作于几十kHz频率范围内。