产品信息 SiC MOSFET 10家厂商的产品信息単
什么是SiC MOSFET？
SiC MOSFET是由碳化硅（SiC）制成的高电压、低导通电阻的MOSFET，因其英文名称为Silicon Carbide。 它在损耗、高速和高温操作方面具有优越性。 SiC MOSFET还克服了IGBT开关损耗大的缺点，能够在600V或更高电压下进行高速开关操作 SiC MOSFET适用于需要高击穿电压、低损耗和紧凑尺寸的电源转换应用。
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东芝电子元件 (Toshiba Devices & Storage (Shanghai))
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SiC MOSFET
宽禁带功率半导体充分利用东芝第二代碳化硅（SiC）器件结构的优势，为高电压产品带来了极具吸引力的优势。与传统的硅（Si）功率半导体相比，东芝的SiC MOSFET具有更高的可靠性、在高温环境下的出色工作、高速开关和低导通电阻的特性。SiC MOSFET适用于大功率且高效的各类应用，包括工业电源、太阳能逆变器和UPS。
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Littelfuse
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碳化硅MOSFET
碳化硅MOSFET制造商提供高级碳化硅MOSFET、极低栅极电荷和输出电容、
低栅极电阻，适用于高频开关、超低导通电阻；符合RoHS标准、无铅、不含卤素
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英飞凌(Infineon)
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碳化硅 CoolSiC™ MOSFETs
碳化硅 MOSFET 单管、碳化硅 MOSFET 模块
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Cissoid
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High Temperature SiC MOSFET
(-55°C TO 225°C)
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东微半导体(Oriental Semiconductor)
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SiC MOSFET
第三代半导体材料功率器件是未来高性能功率器件的重要组成部分之一。东微研发团队在宽禁带半导体研究上有丰富的经验，相继研发了并联SiC的IGBT及宽禁带场效应晶体管。
目前量产的并联SiC二极管的新一代高速IGBT，大幅改善了Eon、trr、 Qrr和Qg等特性，适合在追求极限效率的系统中使用，支持80-100kHz的高速开关和图腾柱无桥PFC应用。
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东海半导体(DONGHAI ELECTRONICS)
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MOSFET
MOSFET
• 低压
• 200-550V
• ≥600V
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派恩杰半导体(PN JUNCTION SEMICONDUCTOR)
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碳化硅场效应管（SiC MOSFET）
同时实现Si元器件做不到的高速开关和低导通电阻，即使在高温条件下，也具有优异的电气特性，极小的反向恢复损耗。能够显著减少电力电子变换器的重量、体积、成本，提高电力电子系统的效率和功率密度。
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