产品信息 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 25家厂商的产品信息単
什么是绝缘栅双极晶体管(IGBT)？
绝缘栅双极晶体管(IGBT)是一种半导体器件，其输入部分为MOSFET结构，输出部分为双极结构。 绝缘门双极型晶体管的缩写，它结合了MOSFET和双极型晶体管的优点，具有高输入阻抗、高击穿电压、低导通电阻和相对快速的开关（不如MOSFET）。 这些晶体管适用于高电压、大电流的应用。
- 有助于省电和简化设计的电压谐振电路用分立式IGBT “GT20N135SRA”
- 东芝电子元件 (Toshiba Devices & Storage (Shanghai))
-
电磁炉、电饭煲、微波炉等厨房家电的电压谐振电路用1350V耐压分立式IGBT。
■集电极-发射极饱和电压：1.75V
■二极管正向电压：1.8V
■接合-外壳热阻：0.48℃／W（最大值）
-
东芝电子元件 (Toshiba Devices & Storage (Shanghai))
-
IEGT（PPI）
PPI是压装式IEGT。PPI是内置IEGT芯片的压力接触式大功率器件。PPI通过低损耗芯片和高可靠性封装帮助实现节能、小型化和高效率。
- IGBT
-
三垦电气(Sanken Electric Semiconductors)
-
IGBT
IGBT通过降低饱和电压的损耗和开关损耗，可以实现低噪声和高效率的开关电路。
-
Mitsubishi Semiconductor
-
HVICs
IGBT/MOSFET Driver
- IGBT modules
-
Littelfuse
-
点火IGBT
点火绝缘栅双极晶体管（点火IGBT） 技术采用集成了ESD与过压箝位保护装置 的单片电路，可用于感应线圈驱动器应用。
- 分立式封装IGBT
-
英飞凌(Infineon)
-
IGBT
我们提供了多种IGBT产品系列。这些IGBT广泛应用于汽车、牵引、工业和消费类领域。在正向和阻断状态下，我们的IGBT功率损耗极低，仅需低驱动功率便可发挥高效率。IGBT可承受电压高达6.5 kV，工作频率为2 kHz 至 50 kHz。
借助广泛的技术组合优势，IGBT的设计具有出色的电流承载能力和更高的脉冲负载能力，可实现超低功耗。
-
瑞萨电子(Renesas Electronics)
-
Power IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)
功率IGBT（绝缘栅双极型晶体管）
-
东微半导体(Oriental Semiconductor)
-
IGBT
东微推出高速系列、低Vcesat系列、RC系列等IGBT产品，涵盖600V~1700V电压，可广泛应用于白色家电、新能源逆变器、汽车驱动等领域。
-
新洁能(NCEPOWER)
-
IGBT
600-650V IGBT、1200-1350V IGBT
-
普芮玛半导体(Prema Semiconductor)
-
IGBT单管
普芮玛的分立式IGBT器件具有较强的针对性，在特定应用中处于最佳工作状态，实现理想的应用性能。
注意
本网站刊载的产品和服务信息以BtoB为对象，
不支持直接向个人进行销售等各企业的BtoC业务，敬请谅解。
